HPSP 주식 주가 목표 차트 시세 공시 거래소 추천주 전망 및 기업 분석 배당금 수익률

 

HPSP 주식 주가 목표 차트 시세 공시 거래소 추천주 전망 및 기업 분석 배당금 수익률

 

 

1. 사업의 개요

 

당사는 고유전율(High-K) 절연막을 사용하는 트랜지스터의 계면특성을 개선하는 고압 수소 어닐링 장비에 대한 연구개발 및 제조, 판매를 전문으로 하고 있습니다. 

 

당사의 고압수소 수소 어닐링 장비는 반도체 소자 계면상의 문제점을 개선하기 위한 목표로 연구개발하여 제품화한 반도체 전공정 장비입니다.

 

반응형

트랜지스터 막을 형성하는 High-K소재(HfO2, 하프늄옥사이드)는 28나노미터(이하 "㎚") 이하 공정에서 발생하는 터널링 현상으로 인한 누설전류를 막기위해 도입되었고, High-K 소재의 유전율은 기존 SiO2 비해 5배 이상 높으나 High-K 소재를 채택할 경우 "Interface Defect”발생 수준이 기존 SiO2 대비 100배 증가하여 전반적인 반도체performance를 제한시키게 되며, 이를 극복하기 위한 새로운 Solution이 고압에서 가스 농도를 높여 저온 공정을 가능하게 하는 고압어닐링(High Pressure Annealing, 이하 "HPA")공정입니다. 고압어닐링 기술은 수소(H2)/중수소 (D2)를 이용한 화학 작용을 통해 Interface Defect에 H-Si (Hydrogen-Silicon) bonding을 형성하여 Interface Defect를 전기적으로 비활성화함으로서 구동전류 및 집적회로의 속도를 현저히 개선시킵니다.

상기 기술을 활용한 당사의 GENI-SYS 장비는 전세계 고압 관련된 인증을 받고 메이저 고객사의 양산 Fabrication(이하 "Fab")에서 가동중인 유일한 고압 수소 어닐링 장비로, 28/32㎚ 이하 적용공정에 필수적으로 권장됨에 따라 향후 글로벌 반도체 업체들의 지속적인 공정 미세화로 인한 주요 수혜업체가 될 것으로 예상됩니다.

2. 주요 제품 및 서비스

가. 주요 제품 개요
당사의 고압 수소 어닐링 제품은 반도체 트랜지스터 소자 계면상의 문제점을 개선하기 위한 목표로 연구개발하여 제품화되었으며, 국내 최초로 고압 수소 어닐링 효과가 검증된 전공정 장비입니다.

 

최근 반도체 회로패턴 미세화로 인해 반도체 소자 계면 결함(Interface Defect) 등의 문제점이 발견되어 트랜지스터의 성능 개선은 더욱 해결하기 어려운 과제가 되고 있습니다. 이를 해결하기 위한 고압 수소 어닐링 기술은 미세화에 가장 큰 걸림돌 중 하나인 고온 공정을 회피하면서, 기존 공정 설계(process architecture)를 변형시키지 않고 트랜지스터 특성을 개선시키는 역할을 제공하고 있으며, 메모리 소자에서도 고유전막을 이용한 트랜지스터나 캐퍼시터의 공정에서도 표면 결함을 치유하여 소자 특성 개선의 니즈(Needs)가 증가하고 있습니다. 


- 고압 수소 어닐링 장비 (GENI-SYS)
당사 장비는 전공정(Front-End) 장비로 분류되며 고압 수소 어닐링 통해 반도체 소자 계면상의 결함을 제거하는 목적으로 필요한 장비입니다. 고압 수소 어닐링 공정 효과로 인해 반도체 소자계면의 결함이 감소되면 전자 이동량이 향상되므로 트랜지스터 성능이 높아지게 됩니다. 반도체 기술의 발전에 따른 고집적화, 고전력화, 고속화에 따라 Gate에서 낮은 누설 전류가 요구되며 이러한 반도체 소자의 특성상 계면의 안정성 확보에 많은 연구개발이 진행되고 있으므로 소자 계면의 문제점 개선을 위한 시장의 수요는 계속 확장되고 있습니다. 

[GENI-SYS]
이미지: GENI-SYS
GENI-SYS

(출처: 당사 내부자료)

또한 당사의 고압 수소 어닐링 장비는 450℃ 이하의 온도 환경에서도 100% 수소농도를 유지하여 어닐링을 극대화시키므로 기존 고온 어닐링 장비와는 근본적인 차이가 존재합니다. 

 

타사의 고온 어닐링 장비의 경우 600℃ 이상의 온도에서 어닐링이 진행되어 Metal Gate 및 금속배선에 변질을 유발시키며, 공정미세화 어닐링에 미흡한 수소농도를 가지고 있으나 당사의 장비는 이러한 문제점을 모두 해결하여 28/32㎚이하 공정을 기본으로 최대 2㎚(공정)까지 적용 시킬수 있습니다.

[어닐링장비 비교분석]
구분

고압 수소 어닐링장비
고온 어닐링장비

공정온도

250 ~ 450℃

600 ~ 1,100℃

압력

1 ~ 25 ATM

1 ATM

수소농도

100% hydrogen

< 5% hydrogen

적용공정

2㎚~16㎚ 공정 적용 중

16㎚ 이하 공정 적용불가능

진입장벽

글로벌 독점기술

낮음

(출처: 당사 내부자료)

이러한 특성으로 인해 당사의 고압 수소 어닐링 장비는 주요 글로벌시스템반도체 제조업체뿐 아니라 국내외 메모리반도체 업체에도 납품되고 있습니다.

한편 고압 수소 어닐링 장비는 반도체 소자를 중수소 또는 수소 가스를 고압으로 어닐링하는 하는 것으로 공정 특성상 고압에 대한 기술적 노하우 및 안정성 확보가 최우선으로 고려되어야 합니다. 당사는 이에 따라 고압에 대한 기술적 노하우 및 안정성 확보하기 위해 압력용기 안전 인증 획득과 안전을 위한 시스템 구성을 우선시하고 있습니다.


당사 설비는 고압 어닐링 장비로 공정 가스는 중수소, 수소, 질소, 산소를 사용하며, 공정 압력 범위는 1기압~25기압까지 고압가스를 사용하므로 고압 용기에 대한 운영 노하우 및 고압에 대한 인증이 필요한 장비입니다. 당사는 장비의 안전성을 최우선으로 고려하여 제작 초기 설계시부터 안전에 대한 인터락을 2중 3중으로 구성하여 안전성을 검증 및 관리하고 있습니다. 고압 공정에 있어 가장 중요한 고압 용기에 대한 안전 인증은 국내 및 해외 고압 인증을 획득한 구조의 압력용기를 제작하여 사용하고 있으며, 유럽권 인증인 PED, 미주권 ASME, 국내 KGS 한국가스안전공사에 고압인증을 획득한 제품을 사용하므로 고객사의 두터운 신뢰를 받고 있습니다. 
나. 매출실적
(단위 : 천원, %)
매출유형 품목 2021년도(제5기) 2022도(제6기) 2023도(제7기)
금액 비중 금액 비중 금액 비중
제품매출 고압수소
어닐링장비
(GENI-SYS) 88,393,071 96.34% 150,169,733 94.25%
162,690,197
90.84%
기타매출(주) 기타 3,359,241 3.66% 9,166,590 5.75%
16,396,463
9.16%
합계 91,752,312 100.00% 159,336,323 100.00%
179,086,660
100.00%
주) 제품에 대한 부품매출 및 AS매출입니다.

다. 가격변동추이
당사 제품의 경우 고객사별로 요구되는 품목 및 동일 품목내에서도 다양한 요구 사양차이에 따른 가격 편차가 크기 때문에 제품당 가격을 단순 산정하기 어렵습니다. 또한 사양에 따른 구체적인 가격 변동 사항은 영업적으로 보호되어야 할 필요가 있으므로 제품별 단가를 기재하지 않았습니다.

 

3. 원재료 및 생산설비 부제목사용

가. 매입 현황

    (단위: 천원)
매입유형 품목 금액 비율
원재료 전장부품 6,478,505 18%
기구부품 28,780,758 81%
기타 157,672 1%
합계 35,416,935 100%

나. 원재료 가격변동추이
당사의 제품은 대부분 비규격의 주문생산제품으로서, 이에 소요되는 원자재 및 외주비용 역시 매우 다양하여 개별적인 가격변동추이를 산출하는 것이 부적합하여 생략하였습니다.

다. 생산설비 현황

(1) 생산능력 및 생산실적 등
당사의 제품은 양산체제가 아닌 주문생산에 의하고 있으며, 제품의 특성상 고객사 내장비 설치, 생산외 수리, 고객대응 등의 업무가 포함되어 있어 실질적인 유효 생산능력 산출이 어렵기 때문에 가동률 기재를 생략합니다.

(2) 생산설비의 현황

    (단위: 천원)
과 목 기     초
장부가액 당 기 증 감 당        기
감가상각액 기     말
장부가액 비     고
토지 8,981,345 - - 8,981,345 -
기계장치 203,116 1,694,458 (718,915) 1,178,659 -
차량운반구 1 10,500 (2,100) 8,401 -
공구와기구 23,353 37,617 (23,067) 37,903 -
비품 662,239 930,708 (1,073,346) 519,601 -
건설중인자산 245,851 29,324,442 　- 29,570,293 -
합계 10,115,905 31,997,725 (1,817,428) 40,296,202 -


(3) 설비의 신설, 매입 계획
    (단위: 평, 천원)
구분 소재지 규모 총소요자금 2022년 2023년 2024년 착공예정일 준공년월일 비고
토지 화성시 석우동 773평
 8,500,000

8,500,000
 -

-
2022년

2022년

-

건물 1,350평 28,605,704 245,851 18,920,596 9,439,257 2022년 2024년 -
시설장치 - 3,500,000 - 3,500,000 - 2023년 2023년 크린룸 등
시설장치 미국 캘리포니아 - 1,500,000 - 1,500,000 - 2023년 2023년 연구시설 등
합계 42,105,704 8,745,851 23,920,596 9,439,257 - - -
주1) 당사의 생산능력 확장 및 연구개발강화를 위하여 신축공장/연구소 건설을 진행중에 있습니다. 공장건설을 통해 크린룸, 창고, 사무실 등을 확대할 계획입니다.
주2) 당사는 2022.12.16 공장신축 및 연구개발시설 투자를 위하여 333억 규모의 신규시설투자를 의결하였습니다.

4. 매출 및 수주상황

 

가. 매출실적
    (단위: 천원)
매출유형 품목 2023년도
(제7기) 2022년도
(제6기) 2021년도
(제5기) 2020년도
(제4기)
금액 금액 금액 금액
제품매출 고압 수소
어닐링장비 수출 125,080,197 116,472,733
54,425,071

43,651,096

내수 37,610,000 33,697,000
33,968,000

13,530,000

소계 162,690,197 150,169,733
88,393,071

57,181,096

기타매출 기타 수출 11,287,131 7,255,784
2,827,336

3,506,952

내수    5,109,332 1,910,806
531,905

486,327

소계 16,396,463 9,166,590
3,359,241

3,993,279

합계 수출   136,367,328 123,728,517
57,252,407

47,158,048

내수   42,719,332 35,607,806
34,499,905

14,016,327

소계 179,086,660 159,336,323
91,752,312

61,174,375



나. 판매경로
(1) 판매조직
당사의 판매조직은 아시아영업팀, 글로벌영업팀 및 영업관리팀으로 구성되어 있으며, 대표이사가 이를 총괄하고 있습니다. 아시아 영업팀과 글로벌 영업팀에서는 영업관리 및 기술영업 활동을 통하여 기존 고객사 관리 및 신규 고객사 개척 등 능동적인 영업을 진행하고 있습니다.

[판매조직]
이미지: 판매조직
판매조직

(출처: 당사 내부자료)

(2) 부서별 담당업무

부서명 담당업무
아시아 영업ㆍ고객지원
글로벌 영업ㆍ고객지원 [영업]
1. 신규고객 발굴 및 고객 요청사항 대응
2. 고객사 투자계획 파악 및 영업전략 수립
3. 수주대응 및 납품일정 협의/관리
[고객지원]
1. 현장 안정화 관련 기술지원
2. 고객 요청사항 협의 및 대응
영업관리ㆍ부품영업
[영업관리]

1. 장비 수주 및 전체 매출이력 관리

2. 영업 조직과 대외 연관업무 수행
[부품영업]
1. 국내/외 장비 안정화 관련, 소모성/Spare 부품 판매

2. 장비의 무상 보증기간 구분 및 부품 유/무상 공급 판단

3. 판매용 품목의 재고 수준 관리

(3) 판매전략
당사는 반도체 소자 계면상의 문제점을 개선하기 위한 고압 수소 어닐링 장비 및 그 파생 모델의 판매를 주력사업으로 하여 사업을 영위하고 있습니다. 

 

당사의 영업 조직은 국내외 반도체 및 반도체 장비 업계에서 20년 이상의 경력을 보유한 전문 인력들로 구성되어 있으며, 현장에서의 고객지원 서비스 조직도 10년 이상의 동종 또는 유사 공정 장비 현장 고객지원 경력을 가진 인력을 주축으로(과반수 이상) 구성되어 있습니다. 이러한 오랜 현장에서의 경험과 숙련된 노하우를 가진 인력들을 바탕으로, 고객과 긴밀하게 접촉하며 고객이 필요로 하고 있는 생산성 향상, 수율 향상 및 제조 관리 상의 난관과 문제를 해결하기 위한 지원을 지속적으로 제공하고 있습니다. 

 

또한, 반도체 분야의 오래된 고유 특성인 집적도의 향상을 위한 소자 구조의 미세화에 따라 소자 개발 중에 발생할 수 있는 문제에 대하여, 사전 기판 실험(Wafer Demonstration Test) 및 기술 협의를 통해 해결안을 모색하기 위한 활동을 지속적으로 진행하고 있으며, 이를 바탕으로 기술 마케팅 전략을 유지하고 있습니다. 이와 더불어 당사에서는 현재의 상태에 머무르지 않고 지속가능한 사업 성장과 매출 증대의 속도를 증가시키기 위하여 다양한 마케팅 전략을 활용하고 있습니다.


- 고객과의 기술 전략 및 교류 회의를 통한 지속적 공정 적용 전략
당사는 설립 이래 계속하여, 다수의 시스템 반도체 Top-Tier 제조사를 고객사로 확보하여 사업을 영위하고 있으며, 해당 고객사들의 차세대 소자 개발에 선도적으로 기여하기 위하여, 각 고객사의 핵심 연구 개발 부서 (R&D)와 정기/비정기적인 기술 전략 및 교류 회의 (Technical Road Map 및 Technical Exchange Meeting)를 실시하고 있습니다. 이를 통해 다음 Tech-node (소자 미세화 지표, 예. 5nm, 3nm 노드 등)와 새로운 소자 구조 (집적도를 높이기 위한 3차원 소자 구조, 예. GAA 즉 Gate All Around 등)의 개발 단계에서부터, 각 고객사의 연구 개발 부서와 사전 협의를 진행하여 개선점과 필수 요소에 대한 선행 파악 및 조치를 시행하고 있습니다. 이는 기존 고객들이 다시 당사의 장비를 선택하게 만드는 효율성이 높은 선도 전략이라고 할수 있습니다.

- 연구기관과의 전략적 제휴
당사는 기존 고객사의 연구 개발 조직과의 협력만에 머무르지 않고, 벨기에 브뤼쉘에위치한 세계 최대 반도체 연구소인 IMEC과의 전략적 연구개발 협력을 지속하고 있습니다. 실제로 imec에는 당사의 GENI-SYS 장비가 설치되어 있으며, IMEC의 핵심 연구원들이 당사의 GENI-SYS 장비를 사용하여 시스템 LSI, NAND Flash 메모리와 DRAM메모리 등 반도체 각 소자와 관련된 연구를 지속해 왔으며, 그 결과를 바탕으로 논문 및 자료로 발표하고 있습니다. 또한 해외 연구 기관에 국한하지 않고, 국내 POSTECH (포항공대)와 기술자문 계약(2024년까지 3개년 계약)을 맺고 당사의 사업 영역 확장에 필요한 미래 기반 기술에 대한 선도적 검토와 접근을 진행하고 있습니다


- 신사업 전략
당사는 기존 시스템 반도체 분야에만 국한하지 않고, NAND Flash와 DRAM 메모리 분야의 선도 기업과 공동개발계약 및 공동평가계약을 통해 당사의 주요 제품인 GENI0-SYS HT와 GENI-SYS O2 장비를 메모리 분야로 확대적용 시험하여 이 중 일부 장비에 대한 실제 양산 확대 적용을 완료하였으며, 일부장비의 양산적용을 위한 지속적인 해당 고객사 현장 지원 및 기술 전략 회의를 진행해 오고 있습니다.

 

해당 고객사에서의 안정적인 대량 생산 적용을 기반으로 하여, 타 고객사로의 이전 확대 적용을 위한 전략을 계획하고 있으며, 그 시작 단계로 소자 기판 실험(Wafer Demonstraion Test)를 진행하고 있습니다. 

 

또한 해외 DRAM 메모리 고객사와의 사전 평가 기판 실험 (Wafer Demonstration Test)도 성공적으로 완료하였으며, 해당 고객사의 다국적 기반의 대량 생산 공장에 적용을 위한 협의가 진행되고 있습니다.


다. 수주현황
수주잔고에 대한 상세 내용은 거래 상대방과의 영업과 관련된 기밀 또는 고객사의 신규 프로젝트 등 비공개 사항으로 관련 내용을 공시할 경우 거래 상대방의 영업에 현저한 손실을 초래할 수 있다고 판단됩니다. 이에 보고서에 수주계약 현황을 기재하여야 하나 상기 사유에 근거하여 해당 내용 기재를 생략합니다. 



5. 위험관리 및 파생거래



회사가 노출되어 있는 재무위험 및 이러한 위험이 회사의 미래 성과에 미칠 수 있는 영향은 다음과 같습니다.

위험

노출 위험

측정

관리

시장위험 - 환율

미래 상거래 기능통화 이외의 표시통화를 갖는 금융자산및 금융부채

현금흐름 추정

민감도 분석

통화선도 및 통화옵션

신용위험

현금성자산, 매출채권, 파생상품, 채무상품, 계약자산

연체율 분석

신용등급

은행예치금 다원화, 신용한도, L/C

채무상품 투자지침

유동성위험

차입금 및 기타 부채

현금흐름 추정

차입한도 유지


위험관리는 이사회에서 승인한 정책에 따라 재무부서의 주관으로 이루어지고 있습니다. 재무부서는 영업부서들과의 긴밀한 협조하에 재무위험을 식별하고 평가하고 관리합니다. 이사회는 전반적인 위험관리에 대한 원칙과 외환위험, 이자율 위험, 신용 위험, 파생금융상품과 비파생금융상품의 이용 및 유동성을 초과하는 투자와 같은 특정 분야에 관한 정책을 문서화하여 제공하고 있습니다.


가. 시장위험
(1) 외환위험
보고기간말 현재 외환 위험에 노출되어 있는 회사의 금융자산ㆍ부채의 내역의 원화환산 기준액은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)
구분 당기말 전기말
금융자산

 현금및현금성자산 36,010,820 1,406,683
 단기금융상품 90,902,700  63,998,650
 매출채권(주) 2,826,146 3,033,806
 임차보증금 37,777 37,129
금융부채

 매입채무

4,961,893 136,837
 미지급금

1,391,209 5,136,658
주) 대손충당금 차감 전 금액입니다.

(2) 민감도분석
회사의 주요 환위험은 USD 환율에 기인하므로 손익의 변동성은 주로 USD 표시 금융상품으로부터 발생합니다. 

USD 환율 변동이 손익에 미치는 영향이 당기에 증가한 것은 USD 외화예금 증가에 기인합니다. 회사의 기타 환율위험에 대한 노출은 유의적이지 않습니다.


(단위: 천원) 
구     분

세전 이익에 대한 영향

자본에 대한 영향

당기

전기

당기

전기

미국 달러/원 

10% 상승시

12,342,434 6,320,444 9,627,099 4,759,643
10% 하락시

(12,342,434) (6,320,444) (9,627,099) (4,759,643)
일본 엔/원
10% 상승시

- (167) - (130)
10% 하락시

- 167 - 130


나. 신용위험

신용위험은 기업 및 개인 고객에 대한 신용거래 및 채권뿐 아니라 현금성자산, 채무상품의 계약 현금흐름 및 예치금 등에서도 발생합니다. 

 

(1) 위험관리

 

회사는 은행 및 금융기관의 경우 A 신용등급 이상과만 거래하며, 회사의 신용위험은 개별 고객, 산업, 지역 등에 대한 유의적인 집중은 없습니다.



(2) 금융자산의 손상

 
회사는 기대신용손실 모형이 적용되는 다음의 금융자산을 보유하고 있습니다.


- 재화 및 용역의 제공에 따른 매출채권
- 상각후원가로 측정하는 기타 금융자산


현금성자산도 손상 규정의 적용대상에 포함되나 식별된 기대신용손실은 유의적이지 않습니다.



(가) 매출채권과 계약자산 

 

회사는 매출채권과 계약자산에 대해 전체 기간 기대신용손실을 손실충당금으로 인식하는 간편법을 적용하며, 기대신용손실을 측정하기 위해 신용위험 특성과 연체일을 기준으로 구분하였습니다. 



사업보고서 작성 기준일 현재 매출채권 및 계약자산에 대한 손실충당금은 다음과 같습니다.

(단위: 천원) 
구분
정상

3개월 초과
연체

6개월 초과
연체 9개월 초과
연체 12개월 초과
연체 계
당기말

 기대 손실률

0.45% 13.42% 23.83% 49.71% 100.00% 10.08%
 총 장부금액 - 매출채권

1,608,758 17,562 710,577 125,579 395,199 2,857,675
 총 장부금액 - 계약자산 3,616,655 - - - - 3,616,655
 손실충당금

23,338 2,357 169,297 62,428 395,199 652,619
전기말

 기대 손실률

0.22% 8.39% 19.85% 41.19% 100.00% 13.19%
 총 장부금액 - 매출채권

1,320,250 67,381 298,829 437,219 995,476 3,119,155
 총 장부금액 - 계약자산 6,415,083 - - - - 6,415,083
 손실충당금

16,865 5,655 59,320 180,091 995,476 1,257,407



당기 및 전기 중 매출채권과 계약자산의 손실충당금 변동내역은 다음과 같습니다.

(단위: 천원) 
구분
당기

전기

기초

1,257,407 86,344
당기손익으로 인식된 손실충당금의 증가(감소) 

(604,788) 1,171,063
기말

652,619 1,257,407
 

매출채권은 회수를 더 이상 합리적으로 예상할 수 없는 경우 제각됩니다. 회수를 더 이상 합리적으로 예상할 수 없는 지표에는 거래처의 부도 및 파산 등이 포함됩니다.

 

매출채권에 대한 손상은 손익계산서상 대손상각비로 순액으로 표시되고 있습니다. 제각된 금액의 후속적인 회수는 동일한 계정과목에 대한 차감으로 인식하고 있습니다.


(나) 상각후원가 측정 기타 금융자산


상각후원가로 측정하는 기타 금융자산에는 미수금, 미수수익 등이 포함됩니다. 상각후원가로 측정하는 기타 금융상품은 채무불이행 위험이 낮고 단기간 내에 계약상 현금흐름을 지급할 수 있는 발행자의 충분한 능력이 있는 경우 신용위험이 낮은 것으로간주합니다. 보고기간말 현재 상각후원가로 측정하는 기타 금융자산은 모두 신용위험이 낮은 것으로 판단됩니다.


다. 유동성위험

회사는 유동성위험을 관리하기 위하여 중장기 자금관리계획을 수립하고 현금유출예산과 실제 현금유출액을 지속적으로 분석ㆍ검토하여 금융부채와 금융자산의 만기구조를 대응시키고 있습니다. 회사의 경영진은 영업활동에서 발생하는 현금흐름과 보유금융자산으로 금융부채의 상환이 가능하다고 판단하고 있습니다.



유동성 위험 분석에 포함된 금액은 계약상의 할인되지 않은 현금흐름입니다. 12개월이내 만기가 도래하는 금액은 현재가치 할인의 효과가 중요하지 않으므로 장부금액과 동일합니다.

  (단위: 천원) 
당기말

1년 미만

1년 ~ 2년

2년 ~ 5년

5년 초과

합계

장부금액

매입채무  6,388,776 - - - 6,388,776 6,388,776
리스부채 1,020,334 819,273 568,502 - 2,408,109 2,235,191
기타채무(*1) 2,192,404 - - - 2,192,404 2,192,404
합계 9,601,514 819,273 568,502 - 10,989,289 10,816,371
(주1) 종업원급여 관련 부채 및 고객과의 계약과 관련된 부채가 제외되어 있습니다.


  (단위: 천원) 
전기말

1년 미만

1년 ~ 2년

2년 ~ 5년

5년 초과

합계

장부금액

매입채무  2,917,039 - - - 2,917,039 2,917,039
리스부채 1,033,644 993,691 1,353,505 - 3,380,840 3,048,224
기타채무(주1) 3,900,633 - - - 3,900,633 3,900,633
합계 7,851,316 993,691 1,353,505 - 10,198,512 9,865,896
(주1) 종업원급여 관련 부채 및 고객과의 계약과 관련된 부채가 제외되어 있습니다.

라. 자본위험관리

자본관리의 주 목적은 회사의 영업활동을 유지하고 주주가치를 극대화하기 위하여 높은 신용등급과 건전한 자본비율을 유지하기 위한 것입니다. 회사는 자본구조를 경제환경의 변화에 따라 수정하고 있으며, 이를 위하여 배당정책을 수정하거나 자본감소 혹은 신주발행을 검토하도록 하고 있습니다. 한편, 당기 중 자본관리의 목적, 정책및 절차에 대한 어떠한 사항도 변경되지 않았습니다.

 

회사는 부채총계를 자본총계로 나눈 부채비율을 사용하여 감독하고 있습니다. 보고기간종료일 현재 부채비율은 다음과 같습니다.

(단위: 천원)
구     분

당기말

전기말

부채 43,607,318 65,554,608
자본 277,080,289 195,371,869
부채비율 16% 34%

마. 파생상품 거래현황

당사는 사업보고서 기준일 현재 해당사항 없습니다.



6. 주요계약 및 연구개발활동



가. 경영상의 주요 계약
당사는 보고서 제출일 현재 회사의 일상적인 영업활동 이외에 회사의 재무상태에 중요한 영향을 미치는 비경상적인 주요계약은 존재하지 않습니다.

나. 연구개발활동

(1) 연구개발조직
당사는 연구개발 및 기술 기반 회사로 수준 높은 연구개발 인력을 보유하기 위한 많은 투자를 하고 있습니다. 당사는 고객사의 기술적 요구사항을 즉각적으로 대응하기 위해 미국과 국내 R&D center를 설립하였으며, 이후 고압 수소 어닐링 부문의 기술 격차를 확대 및 신규제품 개발을 위해 국내 부설 연구소를 설립 및 세계 최고 반도체 연구기관 imec 공동연구개발 협약을 맺었습니다.

당사의 연구조직은 고객들의 생산 현장에서 수집된 고객의 눈높이에서 문제점을 발굴하는 것으로부터 시작하며, 고객사 현장에서 발생되는 문제의 원인을 심층적으로 검토하여 규명하고 해결방법을 제안합니다. 또한 시장 변화에 대응하기 위하여 기초연구와 생산을 위한 각종 정보를 창출하고 생산부문에 전달하는 과정을 기본적인 업무로 규정합니다. 연구개발의 선순환 구조를 완성시키기 위하여 당사는 연구조직을 개발, 엔지니어링, 설계, 부문으로 구분하여 효율적으로 교육 및 업무 영향 상향을 위해 관리하고 있습니다.

- 개발 분야

당사 연구개발 부서의 개발 담당 연구원은 국내 및 해외 고객의 현장에서 수집된 정보를 기초로 고객의 눈높이를 맞추기 위해 다양한 실험을 통하여 고객의 문제점을 재현하고 분석하여, 고객의 문제를 해결할 수 있는 방안을 도출하기 위한 기초 데이터 확보 및 제품 개발 방향 제시 등 기초적인 연구활동를 담당하고 있습니다.  

- 엔지니어링 담당

당사 연구개발 부서의 엔지니어링 담당 연구원은 개발 담당의 개발업무 완료 후 도출된 결과를 양산 장비에 적용하기 위하여 개발 설계를 위한 엔지니어링을 담당하고 있습니다.


[연구 프로젝트 수행 과정]
이미지: 연구 프로젝트 수행과정
연구 프로젝트 수행과정

(출처: 당사 내부자료)


(2) 연구개발비용

(단위: 천원)
과목 제7기 제6기 제5기
원재료비 491,262 973,462 372,226
인건비 3,043,887 3,359,140 3,452,421
감가상각비 210,517 100,000 100,683
위탁용역비 - - -
기타 978,092 741,757 640,437
연구개발비용 계 4,723,758 5,174,360 4,565,767
회계
처리 판매비와관리비 4,723,758 5,174,360 4,565,767
제조경비 - - -
개발비(무형자산) - - -
연구개발비 / 매출액 비율
[연구개발비용계 ÷ 당기매출액 ×100] 2.64% 3.25% 4.98%

7. 기타 참고사항

 

가. 상표 관리정책 및 고객관리 정책 등이 사업에 미치는 중요한 영향
당사는 보고서 제출일 기준 현재 해당사항이 없습니다.
 

나. 지적재산권 보유현황
보고서 제출일 현재 당사의 지적재산권 보유 현황은 다음과 같습니다.

[특허 등록내역]
번호 구분 내용 권리자 출원일 등록일
만료일 적용제품 출원국
1 특허권 3차원 플래시 메모리 소자의 제조 방법 에이치피에스피
포항공대산학협력단 2018.02.02 2020.11.11 2038.02.02 GENI-SYS 대만
2 특허권 중수소를 회수하는 방법 및 장치 에이치피에스피 2014.10.15 2021.07.30 2034.10.15 GENI-SYS 한국
3 특허권 듀테륨 복구를 위한 방법과 장치 에이치피에스피 2014.07.31 2016.02.09 2034.07.31 GENI-SYS 미국
4 특허권 듀테륨 복구를 위한 방법과 장치 에이치피에스피 2015.12.07 2018.03.27 2035.05.30 GENI-SYS 미국
5 특허권 듀테륨 복구를 위한 방법과 장치 에이치피에스피 2015.07.30 2019.03.01 2035.07.30 GENI-SYS 대만
6 특허권 중수소를 회수하는 방법 및 장치 에이치피에스피 2015.07.10 2020.10.23 2035.07.10 GENI-SYS 중국
7 특허권 반도체 열처리방법 에이치피에스피
포항공대산학협력단 2017.02.03 2018.10.26 2037.02.03 GENI-SYS 대한민국
8 특허권 반도체 열처리방법 에이치피에스피
포항공대산학협력단 2018.02.02 2019.09.21 2038.02.02 GENI-SYS 대만
9 특허권 3차원 플래시 메모리 소자의 제조방법  에이치피에스피
포항공대산학협력단 2017.02.02 2018.10.26 2037.02.02 GENI-SYS 대한민국
10 특허권 저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법 에이치피에스피
포항공대산학협력단 2015.10.28 2017.09.18 2035.10.28 GENI-SYS 대한민국
11 특허권 반도체 기판 처리장치 에이치피에스피 2014.01.20 2016.08.11 2034.01.20 GENI-SYS 대한민국
12 특허권 고압가스 기반의 반도체기판 열처리를 위한 온도제어장치 에이치피에스피 2014.01.20 2015.12.03 2034.01.20 GENI-SYS 대한민국
13 특허권 반도체 기판 처리용 냉각장치 에이치피에스피 2014.01.20 2015.12.03 2034.01.20 GENI-SYS 대한민국
14 특허권 고압 열처리를 이용한 스핀 온 글래스 절연막 형성방법 에이치피에스피
포항공대산학협력단 2014.04.23 2015.11.19 2034.04.23 GENI-SYS 대한민국
15 특허권 풉에 로딩된 반도체 기판의 매핑 장치 에이치피에스피 2014.01.20 2015.11.19 2034.01.20 GENI-SYS 대한민국
16 특허권 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치 에이치피에스피 2014.01.20 2015.09.08 2034.01.20 GENI-SYS 대한민국
17 특허권 고압가스 열처리를 위한 컴퓨터 판독장치 에이치피에스피 2013.07.03 2015.01.20 2026.02.10 GENI-SYS 미국
18 특허권 고압가스 열처리를 위한 방법 에이치피에스피 2009.02.04 2013.07.09 2032.03.01 GENI-SYS 미국
19 특허권 고압 가스 어닐링 장치 및 방법  에이치피에스피 2007.01.12 2013.03.22 2027.01.12 GENI-SYS 일본
20 특허권 반도체 설비용 중수소 가스 재활용 시스템 에이치피에스피 2013.12.31 2014.12.30 2033.12.31 GENI-SYS 대한민국
21 특허권 고압 산소 열처리를 통한 반도체 소자의 제조방법 에이치피에스피 2007.07.26 2014.09.12 2027.07.26 GENI-SYS 대한민국
22 특허권 플래시 메모리의 제조방법 에이치피에스피 2007.01.29 2008.12.12 2027.01.29 GENI-SYS 대한민국
23 특허권 플래시 메모리의 제조방법 에이치피에스피 2008.01.28 2009.05.05 2028.01.28 GENI-SYS 미국
24 특허권 플래시 메모리의 제조방법 에이치피에스피 2008.01.29 2011.12.22 2028.01.29 GENI-SYS 일본
25 특허권 플래시 메모리의 제조방법 에이치피에스피 2008.01.28 2013.07.01 2028.01.28 GENI-SYS 대만
26 특허권 고압 수소 열처리를 이용한 저온 구리 웨이퍼 본딩 방법 에이치피에스피 2006.07.28 2008.05.22 2026.07.28 GENI-SYS 대한민국
27 특허권 고압 수소 열처리를 이용한 SOI MOSFET 제조방법 에이치피에스피 2006.07.28 2007.10.23 2026.07.28 GENI-SYS 대한민국
28 특허권 고압가스 열처리를 위한 방법 및 장치 에이치피에스피 2006.05.30 2007.10.05 2026.05.30 GENI-SYS 대한민국
29 특허권 고압 수소 열처리를 이용한 고유전율 절연막 제조공정 에이치피에스피 2003.06.30 2005.10.04 2023.06.30 GENI-SYS 대한민국
30 특허권 반도체 챔버의 공정 전과 공정 후 잔류가스 검출 장치 에이치피에스피 2021.12.20 2022.05.06 2041.12.20 GENI-SYS 대한민국

다. 사업영위에 중요한 영향을 미치는 법규 및 규제사항
당사는 보고서 제출일 기준 현재 해당사항이 없습니다.

라. 사업영위와 관련하여 환경물질의 매출 또는 환경보호와 관련 규제 준수 여부 및 환경개선설비에 대한 자본지출 계획
당사는 보고서 제출일 기준 현재 해당사항이 없습니다.

마. 시장여건 및 영업의 개황

1. 산업의 특성, 성장성, 경기변동의 특성
1-1) 산업의 특성
최근의 반도체 산업은 반도체의 설계와 제조를 모두 수행하는 종합반도체 회사(Integrated Device Manufactur, 이하 “IDM”) 중심에서 시스템반도체의 설계와 개발만을 수행하는 팹리스(Fabless), 반도체 제조를 전담하는 파운드리(Foundry), 패키징&테스팅(Packaging&Testing) 기업으로 분화되어 각 분야별 전문성을 요구하고 있습니다. 80년대 이전만 하더라도 반도체 산업은 IDM(종합반도체 업체) 위주로 성장하였으며 이들은 설계에서부터 Fab, 조립/테스트, 판매 등까지 한 기업에서 일괄적으로 처리하였습니다. 

 

그러나 80년대 후반 IC설계혁명에 따라 팹리스, 파운드리 등 전문화된 업체가 생성되었으며 95년 이후 FPGA(Field Programmable Gate Array)의 개발로 칩에 대한 평가가 가능해지면서, 칩의 집적화와 함께 대량 양산체계가 만들어지면서 반도체 산업은 급격하게 성장할 수 있는 기술혁명을 이뤘습니다. 이에 따라 설비투자 규모가 커지게 되고, 산업의 경기 변동이 확대됨에 따라서 IDM 비즈니스는 점차 많은 위험을 내포하게 되었으며, 이 과정에서 소규모 투자로 전문성을 확보하거나, 대규모 투자 리스크 회피를 위해 외주 형태의 산업구조 등 다양한 형태의 모델이 생성되었습니다.

 

우리나라는 메모리반도체를 주로 생산하고 있어, 메모리에 대한 분류는 구체화되고 있으나, 메모리가 아닌 반도체는 비메모리라고 칭하고 있습니다. 메모리 반도체는 하나의 기업이 설계에서 제품 생산까지 모두 수행하는 IDM방식이 효율적이지만, 시스템 반도체는 수요자의 요구 및 제품이 매우 다양하기 때문에 각 공정별로 특화된 기업에 의한 분업화가 가능합니다. 이에 따라, 메모리반도체는 대형기업이 설계부터 생산까지 담당하는 종합반도체기업(IDM) 중심의 사업구조가 정착되어 있으며, 비메모리반도체는 수요자 주문형 방식으로 설계전문기업(Fabless), 위탁생산전문기업(Foundry) 등의 분업이 일반적입니다.

1-2) 산업의 성장성

 2023년 전세계 반도체 시장은 러시아ㆍ우크라이나 전쟁, 주요국 금리 인상 등에 따른 글로벌경기 둔화 속에 중국 시장 위축, 반도체 가격 하락 등의 악재가 겹치면서 성장이 둔화 되었습니다.
그러나 최근 자율주행, AI 등 4차산업 관련 분야의 빠른성장으로 반도체 시장의 성장이 회복될 것으로 전망됩니다. 시장조사전문기관 WSTS에 따르면 2024년 반도체산업의 시장규모는 차세대 반도체 및 신규제품에 대한 투자로 전년 대비 13.1% 증가한 5,884억달러로  전망됩니다.


이미지: 분야별 반도체 시장 규모(WSTS Forecast Summary)
분야별 반도체 시장 규모(WSTS Forecast Summary)

(출처: WSTS, 2023년 11월)
 한편 2023년 전세계 반도체 전공정(Front-End) 장비투자액은 2022년 대비 15% 감소한 840억 달러로 추정하고 있습니다. 그러나 2024년에는 고성능 컴퓨팅(High Performance Computing, HPC)과 메모리 반도체의 수요증가등으로 2023년 대비 15%상승한 970억달러 규모의 반도체 전공정 장비투자를 전망하고 있습니다.


이미지: [반도체 전공정(Front End)투자전망]
[반도체 전공정(Front End)투자전망]

(출처: World Fab Forecasr Report, 3Q2023, SEMI)


1-3) 경기변동의 특성
세계 반도체 시장은 제품 수명 주기가 매우 짧으며, 새로운 제품의 생산을 위해서는 대규모 투자가 필요한 장치 산업의 특성을 가지고 있습니다. 아울러, 과거에는 실리콘 사이클의 순환에 따라 호황과 불황을 반복해 왔으며, 이는 주요 수요처인 미국의 거시경제 순환 사이클(Business Cycle)과의 연관성이 매우 컸습니다. 그러나 최근에는 중국 및 인도 등 신흥시장의 비중이 확대되고 경쟁력이 부족한 업체들이 일부 구조조정 되어 반도체 산업 경기 변동 폭이 점진적으로 낮아지는 추세에 있습니다.

 

또한 전통적인 반도체산업의 주요 수요산업인 PC와 스마트폰에서 4차 산업혁명과 관련된 기업용 데이터센터 등으로 이동하였으며, 이에 따라 반도체 수요처도 다변화되었습니다. 이에 따라 반도체산업의 경기순환 주기가 짧아지는 경향을 보이고 있으며, 호황과 불황의 폭도 축소되는 추세를 보이고 있습니다. 

 

한편 반도체 장비 산업은 반도체 소자기술의 급격한 발전에 따라 장비 교체 주기가 점점 짧아지면서 차세대 Device 생산에 적합한 신규 장비의 개발 및 기존 장비의 개선을 지속적으로 수행해야 되는 특징이 있습니다. 따라서 메모리 장치 등 최종 소비재에 대해 꾸준히 제품 수요가 있을 경우 반도체 장비 업체 입장에서 차세대 기술을 탑재한 신규 장비나 기존 장비의 교체 수요가 존재할 것이므로, 반도체 시장의 급격한 경기 변동이나 반도체 소자업체의 설비 투자 계획 등의 영향력은 점차 줄어드는 추세입니다.

 

특히 당사가 영위하는 고압수소어닐링 장비의 경우 공정의 미세화진행에 따라 중요한 공정 장비로 부각되고 있으며, 기술적 난이도로 인해 진입장벽이 높음을 감안할 때 여타 장비와 달리 경기 변동 등의 외부 요인에 제한적일 것으로 전망하고 있습니다.



2. 국내외 시장여건(시장의 안정성, 경쟁상황, 시장점유율 추이)

2-1) 시장의 안정성
 시장조사전문기관 SEMI에 따르면 2023년 반도체 장비투자가 전년대비 감소했음에도 불구하고, 반도체 장비 수요의 절반이상을 차지하는 Logic/Foundry의 장비투자는 2022년 대비 6%증가한 563억 달러가 추정됩니다. 향후 Logic/Foundry 장비투자는 2024년은 전년대비 소폭 감소 할것으로 예상되지만, 2025년도 다시금 증가할 것으로 전망되며, 첨단기술(leading-edge)중심의 투자가 진행될 것으로 전망됩니다.

이미지: 반도체 Application별 장비투자 전망
반도체 Application별 장비투자 전망

(출처: Equipment Market Data Subscription, Dec 2023, SEMI)


 2023년 큰 폭으로 감소하였던 메모리반도체 관련 투자는 2024년 이후 투자가 재개되면서 2025년까지 지속적으로 증가할 것으로 예상됩니다. 특히 DRAM부문에서는 HBM의 수요증가에 힘입어 메모리반도체 투자를 주도할 것으로 전망하고 있습니다.

2-2) 경쟁상황
시스템 Logic/Foundry(이하 "LSI") 제조사들은 제조 공정 상의 다층 박막 구조를 형성하면서 발생하는 계면에서의 결함 구조로 인해, 최종 전자 소자의 성능 불량 및 신뢰성 악화에 따른 생산 수율 저하 문제에 직면해 왔습니다. 당사는 고압수소어닐링 장비인 GENI-SYS 장비를 사용하여, 20기압(atm)의 고압 환경에서 반도체 소자 구조 내의 다층 박막 구조 중 각각의 박막 계면에 수소/중수소를 높은 압력으로 주입하여 결함 구조를 개선하는 것을 공정 분야의 원천 기술로 하며, 해당 공정을 위한 장비의 제어 및 제조에 관련된 독보적인 원천 기술을 보유하고 있습니다.

 

당사는 이러한 고압수소어닐링 공정의 구현을 위한 GENI-SYS 장비의 구조와 제어 및 제조에 직결된 독보적인 기술을 바탕으로, 세계 유수의 시스템 LSI 제조사에 지난 수년간 100여대 이상 GENI-SYS를 납품하였으며, 해당 각 소자 제조 고객사들의 대량 생산 공장에서 사용되고 있습니다. 특히 발화의 3요소 중 하나가 되는 수소/중수소 가스의 자연발화점인 섭씨 600℃ 이하에서, 수소/중소를 공정 확산로 (Process Chamber)내에 가압하여 20기압(atm) 상태에서 안전하게 결함 구조를 개선하는 공정은 당사의 GENI-SYS 장비가 유일하게 제조 공정 상의 안정성 및 생산성 검증을 완료하여 전면 적용 중에 있습니다.


이로 인해 당사의 고압수소어닐링 장비는 지적재산권과 축적된 고난위 기술로 강력한 진입장벽을 가지고 있으며, 이런 선도 제품을 중심으로 일반 제품과 함께 모듈화한 융합 제품도 자연스럽게 높은 진입장벽을 가지게 됩니다. 예를 들어 고압 수소(중수소) 장비를 제작 운영하는 기술 노하우는 당사의 고압수소어닐링 장비 제품화를 위해 습득해야 할 기술의 진입장벽이 높기 때문에 경쟁사가 새롭게 시장에 진입하기 위해서는 시장진입 초기에 기술 습득을 위한 시간과 자금에 상당한 투자를 동반하여야 시장 진입이 가능합니다. 그러나 초기에 상당한 투자를 진행하기에는 투자비에 비하여 반도체와 같은 전자산업의 특성상 시장에 진입할 수 있는 가능성이 크지 않기 때문에 신규 진입자의 경우 투자 결정이 매우 어려울 수밖에 없습니다.


2-3) 시장점유율 추이
 공고일 현재 반도체 고압수소어닐링 장비부분의 경우 당사가 독점적 지위를 누리고 있기 때문에 유사 업종 회사의 공시자료 부족 등으로 세분화된 시장점유율 산출은불가능합니다.

3. 회사의 경쟁우위


3-1) 기술의 완성도
GENI-SYS는 반도체 전공정이 미세화되면서 반도체 소자 계면상 발생할 수 있는 문제를 개선하기 위해 출시되었습니다. High-K 소재는 기존 SiO2 대비 유전율이 5배 향상되어 미세화 공정에 필수적으로 사용되어야하지만 그에 따라 계면에 defect가 발생하는 예상치 못한 부작용이 발생하였습니다. GENI-SYS는 이러한 부작용을 해소해주는 고압수소어닐링을 제공하는 장비입니다. 

 

당사는 전세계적으로 유일하게 고압 어닐링 솔루션을 보유하고 있습니다. 기존 foaming 가스 어닐링 환경에서 구현되는 4% 미만의 낮은 중수소/수소 농도는 어닐링 공정에 미흡하였으며, 공정에 적용한 600℃ 이상의 높은 온도는 Metal Gate 및 금속배선에 변질을 유발시켜 공정 미세화에 치명적인 데미지를 주었습니다. 반면 당사는 고압에서 가스 농도를 높여 저온 공정을 가능케하는 고압어닐링 공정을 개발하여 고객사의 낮은 수율 문제를 획기적으로 개선하였습니다. 신청서 제출일 현재 동사는 폐쇄형 furnace 구조로 설계되어 압력 수준을 20~25기압(atm)까지 높이고, 수소농도를 최대 100%까지 극대화할 수 있는 기술을 보유하고 있습니다.

 

이러한 글로벌 원천 기술을 바탕으로 국내 반도체 장비업체 중에 글로벌 Top-tier 고객사를 포함한 다수의 고객을 확보하고 있으며, 글로벌 독점적 원천기술을 기반으로 향후에도 고객사가 확대될 것으로 예상되고 있습니다.


3-2) 기술의 경쟁우위도
당사의 GENI-SYS 제품은 기존에 저압, 고열의 어닐링 장비와는 근본적으로 다른 제품으로, 출시된지 15년이 지난 현재에도 이와 같은 기능을 구현할 수 있는 공정장비는 존재하지 않습니다. 450℃ 이하의 온도 환경에서 100% 수소농도를 유지할 수 있는 동사만의 기술력은 업계에서 압도적인 어닐링 성능을 보이고 있으며, 중장기적으로도 GENI-SYS 제품과 경쟁할 수 있는 장비가 출시되기는 어려울 것으로 예상하고 있습니다.

[어닐링장비 비교분석]
구분

고압 수소 어닐링장비

고온 어닐링장비

공정온도

250 ~ 450℃

600 ~ 1,100℃

압력

1 ~ 25 ATM

1 ATM

수소농도

100% hydrogen

< 5% hydrogen

적용공정

2nm~16 nm 공정 적용 중

16nm 이하 공정 적용불가능

진입장벽

글로벌 독점기술

낮음

장비업체

동사

도쿄 일렉트론(TEL), 원익 IPS 등

출처: 당사 내부자료


당사 설비는 고압 수소 어닐링 장비로 공정 가스는 중수소, 수소, 질소, 산소를 사용하며, 공정 압력 범위는 1~25기압(atm)까지 고압가스를 사용하므로 고압 용기에 대한 운영노하우 및 고압에 대한 인증이 필요한 장비입니다. 안정성이 최우선 과제인 반도체 산업에서 동사는 고객사의 신뢰를 확보하기 위해 inter-lock을 2중 3중으로 구성하여안정성을 검증 및 인정받았습니다.



성능과 안정성을 고객사로부터 인정받은 당사의 GENI-SYS 제품은 보고서 제출일 현재 경쟁 제품이 존재하지 아니합니다. 당사는 향후에도 이러한 기술격차를 확대하기 위해 기존 고압 어닐링 기술의 개선뿐만 아니라 고유전막이 사용되는 메모리 소자와 다른 소자의 Application에 적용하기 위하여 새로운 기술을 추가하고 있으며, 또한 안전을 강화시키는 연구 개발을 지속적으로 수행하여 신기능을 구현한 장비를 2-3년 마다 출시하고 있습니다.